过去二十年来，基于芯片半导体工艺的碳纳米管场致电子发射冷阴极技术对一百多年来一直固守不变的基于钨丝高温发射的热阴极技术所发起的冲击，颇为类似于LED对传统钨丝灯泡的代际性超越式替代。这是一场对“电子束发生机理”进行突破性颠覆的技术革命，它将在很大程度上重塑电子束产生的技术根基，并对其影响力所及的各应用领域，从产品形态、设计标准、行业规范、到应用方式都会产生深远的影响。

傲镭科技拥有成熟稳定的碳纳米管冷阴极芯片制备工艺，从根本上解决了碳纳米管生长一致性、工作稳定性和使用寿命等影响碳纳米管冷阴极产业化的痛点问题，并在实践中得到了验证。

冷阴极射线源相对传统热阴极产品具有瞬时常温启停、瞬时成像、低辐射剂量、低制造及维护成本、低影像失真、高能谱集中度、高分辨率、高功率等优势，具有更好的散热和导热效果、更长的连续工作时间及使用寿命。

公司致力于提供颠覆性碳纳米管冷阴极产品及解决方案，自主碳纳米管场致电子发射技术可广泛应用于X射线源、微波/太赫兹、电子束光刻、FED显示器、高能电子束、电子显微等领域。